eXcelon®工艺
eXcelon®工艺
eXcelon®和eXcelon®3技术是一种传感器工艺，可以从根本上提高宽光谱范围内的背照式CCD和EMCCD探测器的灵敏度。两项技术都可以在750 nm-1100 nm范围（近红外）成像时显着减少Etaloning效应，即设备的薄型背照式硅元件中的相长和相消干扰引起的问题条纹。
关键特性
灵敏度提高
与标准的薄型背照式CCD相比，eXcelon技术可在更宽的波长范围内提高灵敏度。通过提高波长低于500 nm和高于625 nm范围内的灵敏度，eXcelon能够获得最大15-20%的量子效率提升。
Etaloning效应和暗电流减少
eXcelon技术减少了在近红外波长范围内薄型背照式CCD传感器上的Etaloning效应。
此外，采用eXcelon技术涂层的薄型背照式CCD传感器能够提供比深耗尽背照式传感器更低水平的暗电流，同时在较低波长下保持高量子效率。
eXcelon3
eXcelon3是专门为EMCCD探测器开发的。传统的背照式EMCCD具有单光子敏感度，但是它们在紫外线和近红外区域内的量子效率较低，并且在近红外区域存在Etaloning效应。
eXcelon3克服了这两个限制，使量子效率在紫外线区域增加了3倍，在近红外区域增加了1.3倍。
它还可以将Etaloning效应大幅减少70%，使峰间条纹幅度低于10%。
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